| 型号： | GL4100E0000F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Sharp Microelectronics | 描述： | EMITTER IR 950NM 2.0MW TH |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 光电元件 >> 红外发射极 |
| GL4100E0000F PDF |  |
| 产品变化通告 | Emitter Chip Change 10/Aug/2007 |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | - |
| 电流 - DC 正向(If) | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流 | 1mW/sr @ 20mA |
| 波长 | 950nm |
| 正向电压 | 1.2V |
| 视角 | 180° |
| 方向 | 侧视图 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 425-1938-5 |